Выберите правильные варианты ответов из выпадающих списков.

Вблизи p—n-перехода свободные электроны из полупроводника ... диффундируют в полупроводник ... . В свою очередь, дырки из полупроводника ... диффундируют в полупроводник ... . В результате примыкающие к p—n-переходу области с разным типом проводимости приобретают избыточные заряды ... знака. Примыкающая к p—n-переходу область полупроводника p-типа приобретает избыточный ... заряд. Этот заряд создаётся как диффундировавшими из полупроводника n-типа свободными электронами, так и ... ионами, образовавшимися после ухода дырок в полупроводник n-типа. Напротив, примыкающая к p—n-переходу область полупроводника n-типа приобретает избыточный ... заряд.
В результате этих процессов в области p—n-перехода образуются два ... заряженных электрических слоя.