Укажите верные утверждения. При понижении температуры удельное сопротивление полупроводника резко возрастает. При повышении температуры удельное сопротивление полупроводника резко возрастает. На значительном уменьшении удельного сопротивления полупроводников при их освещении основано действие фоторезисторов. На значительном уменьшении удельного сопротивления полупроводников при их освещении основано действие терморезисторов. Наличие дырки означает недостаток отрицательного заряда в данном месте кристаллической решётки полупроводника. Наличие дырки означает недостаток положительного заряда в данном месте кристаллической решётки полупроводника. Проводимость полупроводника, обусловленную движением свободных электронов (отрицательно заряженных носителей), называют проводимостью p-типа. Проводимость полупроводника, обусловленную движением дырок (положительно заряженных носителей), называют проводимостью n-типа. Проводимость полупроводника, обусловленную движением в нём электронов вещества, из которого состоит данный полупроводник, называют собственной проводимостью. Проводимость полупроводника, обусловленную внедрением в него примесей, называют примесной проводимостью.
Задание

Укажите верные утверждения.

  • При понижении температуры удельное сопротивление полупроводника резко возрастает.
  • При повышении температуры удельное сопротивление полупроводника резко возрастает.
  • На значительном уменьшении удельного сопротивления полупроводников при их освещении основано действие фоторезисторов.
  • На значительном уменьшении удельного сопротивления полупроводников при их освещении основано действие терморезисторов.
  • Наличие дырки означает недостаток отрицательного заряда в данном месте кристаллической решётки полупроводника.
  • Наличие дырки означает недостаток положительного заряда в данном месте кристаллической решётки полупроводника.
  • Проводимость полупроводника, обусловленную движением свободных электронов \(отрицательно заряженных носителей\), называют проводимостью p-типа.
  • Проводимость полупроводника, обусловленную движением дырок \(положительно заряженных носителей\), называют проводимостью n-типа.
  • Проводимость полупроводника, обусловленную движением в нём электронов вещества, из которого состоит данный полупроводник, называют собственной проводимостью.
  • Проводимость полупроводника, обусловленную внедрением в него примесей, называют примесной проводимостью.